氮化硅陶瓷具有耐高溫、高比強度、高韌性、優(yōu)異的耐磨性等特性，被廣泛應用于航空航天、機械、汽車、化工、冶金、半導體等重要領域。氮化硅陶瓷部件性能優(yōu)劣，往往取決于所采用的氮化硅粉體原料的純度、雜質(zhì)含量、粒徑分布、物相含量等關鍵指標。但針對氮化硅粉體改性及其所制材料摩擦磨損性能研究鮮見報道。目前，國產(chǎn)氮化硅粉體各項指標與國外粉體存在一定差距，成為制約氮化硅陶瓷性能提升的重要因素。

現(xiàn)如今，使用增材制造技術生產(chǎn)部件已不是新鮮事物。多年來，各個制造商投入重金日復一日地進行 3D 打印機硬件開發(fā)，使其在可靠性、精度和速度方面取得長足進步，可以輕松制造出更為復雜精密的幾何體。

陶瓷基板作為集成電路和覆銅板的襯底材料，其表面質(zhì)量直接影響后端器件的使用壽命和作用可靠性，為了滿足器件集成化、小型化和高可靠性的發(fā)展要求，未來對陶瓷基板表面質(zhì)量的要求會愈發(fā)嚴苛，應用的陶瓷基板表面處理技術也面臨著越來越嚴苛的挑戰(zhàn)。

氮化硅因其共價鍵的結合方式，具有耐高溫、耐腐蝕、高強高韌、高導熱等優(yōu)異的性能而廣泛應用在軸承、高速切削刀具、基板、鑄鋁件等部件中。目前，商業(yè)氮化硅陶瓷的燒結方式一般有無壓燒結、熱壓燒結、

探針卡是由探針、電子元件、線材與印刷電路板（PCB）組成的一種測試接口，根據(jù)不同的情況，還會有補強板等的需求，主要對裸芯進行測試。根據(jù)不同的應用場景和需求，探針卡可分為多種類型，如懸臂式探針卡、垂直探針卡、MEMS探針卡等。廣泛應用于集成電路測試、半導體制造、汽車電子等領域。

陶瓷球的尺寸精度與表面質(zhì)量對軸承的壽命有著非常顯著的影響，而要追求尺寸精度和表面質(zhì)量就需要重視研磨液的選擇。通過分析研磨液主要成分以及作用，就能更具針對性地設計拋光液配方，對研發(fā)高效低成本的陶瓷球研磨拋光液將具有重要意義。

目前，多孔SiC陶瓷主要通過復制、發(fā)泡和添加造孔劑的方法制備，不同的加工方法開發(fā)應用于不同的工業(yè)領域和使用環(huán)境，以滿足孔隙率、孔徑大小和連通度的要求。然而由于多孔SiC陶瓷的燒結溫度至少在1600℃以上，因此要推廣普及多孔SiC陶瓷的使用，關鍵是如何降低其制備溫度從而降低成本，目前業(yè)內(nèi)多通過原位反應鍵合技術來實現(xiàn)低溫制備的目的。

一步燒結長時間保溫可以有效減少樣品內(nèi)部存在孔隙的現(xiàn)象，實現(xiàn)內(nèi)部顏色結構的均一，但是會導致晶粒異常長大，惡化部分力學性能。采取兩步燒結工藝通過在低溫下預燒延長顆粒重排時間，在高溫度下保溫促進晶粒均勻生長，成功制備出了相對密度達到98.25%、微觀形貌均勻、綜合力學性能優(yōu)異的Si3N4陶瓷。該研究對制備形狀復雜綜合力學性能良好的Si3N4陶瓷結構件具有借鑒意義。

氮化鋁(AlN)具有高強度、高體積電阻率、高絕緣耐壓、熱膨脹系數(shù)、與硅匹配好等特性，不但用作結構陶瓷的燒結助劑或增強相，尤其是在近年來大火的陶瓷電子基板和封裝材料領域，其性能遠超氧化鋁。